如圖所示為可控硅快速測試電路。該測試儀由脈沖信號發(fā)生器、閉合導(dǎo)通環(huán)路、發(fā)光二極管、可控硅SCR等組成。

脈沖信號發(fā)生器即為由時基電路555和R1、R2、C等組成的多諧振蕩器，其振蕩頻率為f=1.44/(R1 2R2)C。圖示參數(shù)對應(yīng)的振蕩頻率約為1Hz。由于R1<<R2，故電容C充電所對應(yīng)的時間t充=0.693(R1 R2)C，與電容C放電所對應(yīng)的時間t放=0.693R2C十分接近，所以脈沖發(fā)生器輸出脈沖的占空比接近1:1。

插上可控硅SCR，當(dāng)按下按鈕AN后，在555輸出高電平時，發(fā)光二極管LED1、電阻R4、可控硅SCR、晶體管BG2形成閉合回路，發(fā)光管LED1發(fā)光；當(dāng)555輸出低電平時，LED2、R4、SCR、BG1形成閉合回路，發(fā)光管LED2發(fā)光，說明可控硅是好的。

在測試時插上可控硅SCR后，發(fā)光管LED1、LED2應(yīng)不亮，否則說明T1、T2的兩極已短接。