GTR晶體管是一種耐高壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor），也叫BJT晶體管。通常為NPN型，基極P層半導(dǎo)休采用溝槽型結(jié)構(gòu)，也就是基極像溝槽一樣鑲嵌在N層發(fā)射區(qū)，并且在集電區(qū)設(shè)有N層緩沖區(qū)。管子的整個芯片安裝在雙面帶有銀箔的絕緣基板上，基板利用特殊焊接方式固定在管殼銅底板上，管殼內(nèi)部充滿導(dǎo)熱及絕緣性能極好的透明硅脂，這種工藝結(jié)構(gòu)使得GTR晶體管具有開關(guān)時間短、飽和壓降低、工作反壓高、集電極輸出電流大、工作結(jié)溫高、安全工作區(qū)域?qū)捛揖哂凶躁P(guān)斷能力的特點。因此GTR晶體管廣泛應(yīng)用于交／直流電機(jī)驅(qū)動、不間斷電源、中頻電源中的電源開關(guān)管，音響末級功放管等高電壓、大電流場合。表1是部分GTR晶體管主要參數(shù)。